Apple vil bytte fra å bruke TLC (trippel-nivå celle) NAND-blits til MLC (multi-level cell) NAND-blits i iPhone 6 og iPhone 6 Plus etter at brukere har opplevde krasj og oppstartssløyfeproblemer med versjonene med høyere kapasitet av begge enhetene, rapporter Business Korea .
Kilder har fortalt avisen at flashminnefirmaet Anobit, som Apple kjøpte opp i 2011, har skylden for produksjonsfeilene. Apple vil angivelig bytte til MLC NAND-flash for 64 GB iPhone 6 og 128 GB iPhone 6 Plus, og vil også løse problemer med krasj og oppstartssløyfe med utgivelsen av iOS 8.1.1. Apple har brukt MLC NAND flash før, i forrige generasjons iPhone.
TLC NAND-flash er en type solid-state NAND-flashminne som lagrer tre biter med data per celle. Den kan lagre tre ganger så mye data som single-level cell (SLC) som lagrer én bit data, og 1,5 ganger så mye som multi-level cell (MLC) solid-state flash-minne som lagrer to biter med data. På toppen av det er TLC-blits rimeligere. Det er imidlertid også tregere enn SLC eller MLC når det gjelder lesing og skriving av data.
Apple ga ut sin første iOS 8.1.1 beta til utviklere tidligere denne uken, selv om selskapet ikke spesifiserte om de inkluderte feilrettingene adresserte oppstartssløyfe og krasjproblemer på iPhone 6 og iPhone 6 Plus. Brukere som opplever uvanlig mange oppstartssløyfer og krasj med sin iPhone 6 eller iPhone 6 Plus, anbefales å bringe enhetene tilbake til en Apple-forhandler for en erstatning.
Populære Innlegg